Уход в вертикаль дал возможность уменьшить площадь кристалла на пластине и увеличить число выхода микросхем с каждой пластины (или снижение себестоимости), сообщает «3Dnews».
В Китае стартует строительство завода для выпуска 3D NAND
25 марта 2016, 08:40
Читать далее
Samsung будет бесплатно менять ремешки к Gear S2