Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND

Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти, сообщает «3Dnews».

В январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные коллективы её и Micron будут работать раздельно (за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint).