IMEC разработает техпроцесс для производства ReRAM

Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах, сообщает «3Dnews».

Условно память ReRAM можно разбить на два вида. В одном случае сопротивление ячейки меняется за счёт образования в рабочем слое токопроводящих «нитей» из ионов металлов, а во втором случае сопротивление ячейки изменяется во всём рабочем слое. Австралийская компания 4DS Memory Limited как раз предлагает второй способ. По словам разработчиков из 4DS Memory, полное переключение рабочего слоя - Interface Switching ReRAM - позволит радикально упростить контроллеры памяти за счёт уменьшения числа ошибок чтения.