Первые смогли увеличить плотность записи без увеличения площади кристалла микросхем памяти, а вторые получили для записи данных накопители с повышенной устойчивостью к износу и с возросшей скоростью работы, сообщает «3Dnews».
Первые смогли увеличить плотность записи без увеличения площади кристалла микросхем памяти, а вторые получили для записи данных накопители с повышенной устойчивостью к износу и с возросшей скоростью работы, сообщает «3Dnews».